参数	值
产品	未分类
型号编码	NTHC5513T1Gn: 0
说明	未分类   ChipFET™ Chip
起订量	3
最小包	3
现货	400 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N+P-Channel
FET类型	逻辑电平门
连续漏极电流Id	2.9A,2.2A
Rds On(Max)@Id,Vgs	80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	180pF @ 10V
功率	1.1W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	ChipFET™
封装/外壳	Chip
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	2.9A/2.2A